诉状表示，三家企业同步削减传统DRAM产能，集中资源转产HBM高带宽内存，协同削减DDR3、DDR4等传统内存产能。在充分竞争的市场中，价格上涨本应促使厂商扩产，但这三家企业却同步收紧供货，导致内存价格暴涨。三家企业垄断全球绝大部分DRAM市场，新建存储晶圆厂耗资数百亿且建设周期漫长，新晋厂商难以快速扩产来打破垄断。
这并非三家企业首次卷入反垄断纠纷，2005年美国司法部反垄断调查中，三星、SK海力士曾认罪受罚，美光因配合调查免予处罚。
本次诉讼认为，当下DRAM市场高价缺货乱象，是寡头价格操控行为的再次上演。
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