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三星电子和SK海力士预告大规模投资计划

   
来自:潮流家电网 发布日期:2026/6/29 10:33:53
      韩国总统府于6月28日正式发布公告,韩国总统李在明将于6月29日在青瓦台迎宾馆召开全民报告会,核心议程之一是公布三星电子、SK海力士两大半导体巨头的十年大规模投资规划。作为韩国半导体产业的核心支柱,两家企业此次大规模投资,将会对韩国在全球存储芯片、高端算力芯片领域的市场地位,产生进一步的影响。

  有消息透露,此次投资规划规模创下韩国科技产业历史新高,两家企业未来十年在韩整体投资总额有望突破1000万亿韩元(约合人民币4.42万亿元)。投资布局彻底打破以往韩国半导体产业集中于首尔首都圈的格局,实现全域均衡布局,重点覆盖全罗道、忠清道、庆尚道三大核心区域,有效规避首都圈电力紧缺、用地紧张等产业发展瓶颈,构建全新的全国性高端半导体产业集群。

  此番千亿级投资并非短期产业跟风,而是两大巨头结合全球芯片市场复苏、AI产业快速发展做出的前瞻性战略布局。

  对此,我们可以在三星电子的财报中找到具体的原因。三星电子2026年4月7日发布的一季度财报数据显示,三星电子一季度合并销售额达133万亿韩元(约6064.8亿元人民币),同比大幅增长68.1%;营业利润飙升至57.2万亿韩元(约2611亿元人民币),同比暴涨755%,环比增长185%,整体业绩显著优于市场预期。

  SK海力士更不用说,比起三星有过之而无不及——6月22日韩国股市诞生历史性行情,SK海力士盘中涨幅达6.5%,股价触及295万韩元,总市值站上2082万亿韩元,正式赶超三星电子,登顶韩交所KOSPI市值榜首,超越了自2000年11月起连续26年位居榜首的三星电子。

  而全球存储芯片价格持续回暖甚至可以说是暴涨,则是这两家企业业绩爆发的核心动因。在消费端,国内多品牌已经进行了多轮产品价格调整。在原材料端表现则更直观。

  2026年一季度,全球DRAM合约价环比上涨90%-95%,NAND闪存价格环比上涨55%-60%,存储芯片行业迎来高景气上行周期。而本轮行情的核心驱动力源于全球AI产业的全面爆发,AI服务器、高性能算力设备对高带宽内存(HBM)、高端DRAM、大容量NAND闪存的需求呈井喷式增长。以英伟达为代表的全球算力巨头持续抢购核心存储芯片,导致全球高端存储芯片产能持续紧缺,产品价格持续攀升。

  业内分析认为,三星电子与SK海力士的十年万亿级投资计划,既是两家企业自身的战略升级举措,也是韩国强化本国半导体产业竞争力的重要布局。通过全域产能扩张、核心技术研发、产业链补全完善,韩国将进一步提升在全球高端存储芯片领域的产能与技术话语权,对全球AI、算力、消费电子等领域的芯片供应链格局产生深远影响。

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关键词: 三星,SK海力士
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